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Nous avons étudié le comportement d'une barrière de Schottky utilisée comme électrode dans une cellule photoélectrochimique en solvant aqueux. L'électrode photoactive est constituée de silicium monocristallin commercial de type-n (orientation <111>). Ensuite, une mince couche (~10-20) de SiO2 est produite sur une N-n Si en le chauffant à 450°C sous atmosphère oxydante. L'électrode est complétée en déposant un film mince (~1000) de SnO2 par la méthode de déposition par vapeur chimique. L'effet de la résistivité du silicium, de l'épaisseur de la couche de SiO2 et de SnO2 ainsi que la nature du couple rédox et sa concentration ont été étudiées. …