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Colloque
Nous avons étudié le photocourant transitoire produit dans des échantillons de silicium amorphe hydrogéné par une impulsion lumineuse d'une durée de 300 ps. Les échantillons ont été fabriqués par la décomposition de silane dans un plasma rf et assemblés sous la forme d'une structure épaisse métal-semiconducteur intrinsèque-métal. Sous illumination intense, on ne peut identifier un temps de transit. Par contre, une illumination faible donne lieu à une durée de transit inversement proportionnelle au voltage appliqué. On montre que la grande densité de charges spatiale créée par l'illumination est responsable du comportement à haute intensité.
