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Des mesures rayons x de très haute précision ont été réalisées récemment afin de déterminer la structure du silicium amorphe (a-Si), un matériau de grande importance technologique. Ces mesures permettent de mieux comprendre, en particulier, les effets de relaxation structurale durant un recuit thermique, notamment le rôle joué par les défauts intrinsèques, dont l'existence n'est pas complètement établie. Dans le but de jeter un nouvel éclairage sur ces questions, nous avons réalisé des calculs de relaxation structurale dans un modèle de silicium amorphe. Puisque la chimie des liens est essentielle à la définition d'un défaut, les calculs ont été réalisés …
Des mesures rayons x de très haute précision ont été réalisées récemment afin de déterminer la structure du silicium amorphe (a-Si), un matériau de grande importance technologique. Ces mesures permettent de mieux comprendre, en particulier, les effets de relaxation structurale durant un recuit thermique, notamment le rôle joué par les défauts intrinsèques, dont l'existence n'est pas complètement établie. Dans le but de jeter un nouvel éclairage sur ces questions, nous avons réalisé des calculs de relaxation structurale dans un modèle de silicium amorphe. Puisque la chimie des liens est essentielle à la définition d'un défaut, les calculs ont été réalisés …