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Étude du processus d'interdiffusion à l'interface Ni/Zr
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Nous utilisons la dynamique moléculaire pour étudier le processus d'interdiffusion à l'interface Ni/Zr. Il est important de comprendre ce phénomène puisqu'il est à la base du procédé de fabrication de verres métalliques par la méthode dite de "réaction en phase solide". La dynamique moléculaire est l'outil idéal pour cette étude, car elle permet de suivre à l'échelle atomique la dynamique de l'interface. L'interaction entre atomes est décrite par un potentiel empirique "à n corps" obtenu récemment d'un calcul de liaisons fortes. Nous discutons en outre, dans ce travail, de l'effet de plusieurs paramètres sur la cinétique de la diffusion, dont …

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pen icon Colloque
Étude de la relaxation atomique dans le silicium amorphe
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Des études expérimentales récentes suggèrent que la relaxation atomique dans les semiconducteurs amorphes — et notamment le silicium — procède par l'annihilation des défauts structuraux, tels que lacunes et interstitiels, plutôt que par une augmentation de l'ordre à courte portée, comme c'est le cas dans les métaux amorphes. Cette interprétation présume que les lacunes sont des entités stables à basse température. Il est très difficile de vérifier expérimentalement cette hypothèse. Dans le présent travail, nous utilisons des méthodes de simulation numérique pour étudier la dynamique des défauts, aussi bien lacunes qu'interstitiels, en fonction de la température et, en particulier, nous …

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