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Développement d'un dispositif semi-conducteur au CdZnTe pour l'imagerie des rayons gamma
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Les détecteurs semiconducteurs opérés à la température de la pièce prennent de plus en plus d'importance dans le domaine de l'imagerie gamma. Sur la base de simulations, nous avions proposé en 1997 la réalisation d'un dispositif au CdZnTe capable de résoudre la majorité des problèmes reliés à l'utilisation de ce semiconducteur qui sont dus aux mauvaises propriétés de transport des trous. Au début de 1999 nous avons réalisé un premier dispositif dit à "anodes orthogonales". Ses performances sont identiques aux prévisions et ce dispositif représente actuellement le meilleur détecteur existant à température ambiante pour ce qui est de la résolution …

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