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Colloque
L'InSb est un semiconducteur du groupe III-V qui possède un faible gap et une très grande mobilité des porteurs négatifs. Lorsque le semiconducteur est très pur et non dégénéré, il offre une forte dépendance en champ magnétique de sa conductivité électrique et de l'absorption ultrasonore. Ceci s'explique par le fait qu'à faible concentration de porteurs, il est possible de faire recouvrement de leur fonction d'onde ce recouvrement s'absent quand on applique un champ magnétique qui induit une contraction de la fonction d'onde dans le plan perpendiculaire au champ. L'absorption ultrasonore est ainsi augmentée puisque la diminution de la conductivité électrique …
Colloque
L'InSb est un semiconducteur du groupe III-V qui possède un faible gap et une très grande mobilité des porteurs négatifs. Lorsque le semiconducteur est très pur et non dégénéré, il offre une forte dépendance en champ magnétique de sa conductivité électrique et de l'absorption ultrasonore. Ceci s'explique par le fait qu'à faible concentration de porteurs, il est possible de faire recouvrement de leur fonction d'onde ce recouvrement s'absent quand on applique un champ magnétique qui induit une contraction de la fonction d'onde dans le plan perpendiculaire au champ. L'absorption ultrasonore est ainsi augmentée puisque la diminution de la conductivité électrique …
