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Colloque
Les mesures de photoconductivité ont été effectuées à différentes températures (80K–300K) sur les couches épitaxiales InP/InP:Fe préparées par OM-CVD. Plusieurs niveaux profonds ont été trouvés dans les séries d'échantillons. Les résultats démontrent que ces niveaux d'énergie sont reliés aux conditions de croissance.
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Les mesures de photoconductivité ont été effectuées à différentes températures (80K–300K) sur les couches épitaxiales InP/InP:Fe préparées par OM-CVD. Plusieurs niveaux profonds ont été trouvés dans les séries d'échantillons. Les résultats démontrent que ces niveaux d'énergie sont reliés aux conditions de croissance.
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Les mesures de photoconductivité ont été effectuées à différentes températures (80K–300K) sur les couches épitaxiales InP/InP:Fe préparées par OM-CVD. Plusieurs niveaux profonds ont été trouvés dans les séries d'échantillons. Les résultats démontrent que ces niveaux d'énergie sont reliés aux conditions de croissance.
