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Colloque
Le matériau GaInAs épitaxic sur GaAs possède un important potentiel d'applications en microélectronique, notamment pour la fabrication de transistors à effet de champ ultrarapides. Des mesures de transmission et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70.5µm ≤ λ ≤410.7µm) effectuées sous champ magnétique (8.5T15T) nous ont permis d'observer la résonance cyclotron dans la gamme de température allant de 2K à 140K. Les échantillons ont été élaborés par la méthode d'épitaxie par organométalliques (MOCVD) et présentent un dopage régulé de type n à une valeur de quelques 10¹⁶ cm⁻³. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la …
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Le matériau GaInAs épitaxic sur GaAs possède un important potentiel d'applications en microélectronique, notamment pour la fabrication de transistors à effet de champ ultrarapides. Des mesures de transmission et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70.5µm ≤ λ ≤410.7µm) effectuées sous champ magnétique (8.5T15T) nous ont permis d'observer la résonance cyclotron dans la gamme de température allant de 2K à 140K. Les échantillons ont été élaborés par la méthode d'épitaxie par organométalliques (MOCVD) et présentent un dopage régulé de type n à une valeur de quelques 10¹⁶ cm⁻³. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la …
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Le matériau GaInAs épitaxic sur GaAs possède un important potentiel d'applications en microélectronique, notamment pour la fabrication de transistors à effet de champ ultrarapides. Des mesures de transmission et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70.5µm ≤ λ ≤410.7µm) effectuées sous champ magnétique (8.5T15T) nous ont permis d'observer la résonance cyclotron dans la gamme de température allant de 2K à 140K. Les échantillons ont été élaborés par la méthode d'épitaxie par organométalliques (MOCVD) et présentent un dopage régulé de type n à une valeur de quelques 10¹⁶ cm⁻³. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la …
