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Colloque
Les dispositifs électroniques et opto-électroniques modernes sont formés le plus souvent d'un empilement de couches semiconductrices très minces (quelques nanomètres ou dizaines de nanomètres). Les propriétés de ces dispositifs sont donc très sensibles à la qualité des interfaces entre les couches de différents matériaux. Les alliages formés à partir de InP et GaAs sont la base de l'opto-électronique pour les longueurs d'onde autour de 1.3 et 1.55 μm. Dans ce travail, nous avons étudié des puits quantiques InP/GaxIn1-xAsyP1-y pour caractériser leurs interfaces en utilisant la diffraction des rayons X et la photoluminescence. Nous observons la présence de couches interfaciales dont …
Colloque
Le matériau GaInAs épitaxic sur GaAs possède un important potentiel d'applications en microélectronique, notamment pour la fabrication de transistors à effet de champ ultrarapides. Des mesures de transmission et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70.5µm ≤ λ ≤410.7µm) effectuées sous champ magnétique (8.5T15T) nous ont permis d'observer la résonance cyclotron dans la gamme de température allant de 2K à 140K. Les échantillons ont été élaborés par la méthode d'épitaxie par organométalliques (MOCVD) et présentent un dopage régulé de type n à une valeur de quelques 10¹⁶ cm⁻³. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la …
