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Colloque
Des études expérimentales récentes suggèrent que la relaxation atomique dans les semiconducteurs amorphes — et notamment le silicium — procède par l'annihilation des défauts structuraux, tels que lacunes et interstitiels, plutôt que par une augmentation de l'ordre à courte portée, comme c'est le cas dans les métaux amorphes. Cette interprétation présume que les lacunes sont des entités stables à basse température. Il est très difficile de vérifier expérimentalement cette hypothèse. Dans le présent travail, nous utilisons des méthodes de simulation numérique pour étudier la dynamique des défauts, aussi bien lacunes qu'interstitiels, en fonction de la température et, en particulier, nous …
