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Colloque
L'épitaxie de films minces de GaAs par transport réactif à courte distance a pu être réalisée sur des substrats de GaAs(100) et de Ge(100). La qualité de l'épitaxie dépend essentiellement de l'espacement entre la source et le substrat; les meilleurs résultats ont été obtenus pour un espacement de 2 mm dans le cas de GaAs/Ge(100) et pour un espacement de 0.3 mm dans le cas de GaAs/GaAs(100). Des coupes de phases ont montré beaucoup de dislocations sur des films de GaAs contenant beaucoup de précipités sous forme de défauts d'amplification que ceux déposés sur des substrats de Ge. Des parois …
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L'épitaxie de films minces de GaAs par transport réactif à courte distance a pu être réalisée sur des substrats de GaAs(100) et de Ge(100). La qualité de l'épitaxie dépend essentiellement de l'espacement entre la source et le substrat; les meilleurs résultats ont été obtenus pour un espacement de 2 mm dans le cas de GaAs/Ge(100) et pour un espacement de 0.3 mm dans le cas de GaAs/GaAs(100). Des coupes de phases ont montré beaucoup de dislocations sur des films de GaAs contenant beaucoup de précipités sous forme de défauts d'amplification que ceux déposés sur des substrats de Ge. Des parois …
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L'épitaxie de films minces de GaAs par transport réactif à courte distance a pu être réalisée sur des substrats de GaAs(100) et de Ge(100). La qualité de l'épitaxie dépend essentiellement de l'espacement entre la source et le substrat; les meilleurs résultats ont été obtenus pour un espacement de 2 mm dans le cas de GaAs/Ge(100) et pour un espacement de 0.3 mm dans le cas de GaAs/GaAs(100). Des coupes de phases ont montré beaucoup de dislocations sur des films de GaAs contenant beaucoup de précipités sous forme de défauts d'amplification que ceux déposés sur des substrats de Ge. Des parois …
