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Colloque
L'utilisation du spin de l'électron dans les dispositifs semiconducteurs ouvre la voie à de nouvelles applications haute vitesse, tel le transistor à rotation de spin ou « spin-FET ». L'intégration de matériaux ferromagnétiques à l'intérieur de structures non magnétiques est essentielle pour la fabrication de ces composants spintroniques. L'implantation ionique permet la synthèse de semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) en augmentant la limite de solubilité des dopants dans ces structures. La réalisation d'un DMS à base de Si par implantation d'ions magnétique mènerait à l'intégration de composants spintroniques dans les composants électroniques CMOS existants. Nous avons démontré qu'il est possible d'obtenir …
