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Colloque
La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
Colloque
Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation …
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Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation …
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Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation …
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Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation …
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Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation …
