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Communication
L'implantation ionique d'hydrogène ou d'hélium suivie d'un recuit thermique mène à la formation de nanocavités remplies de gaz dans plusieurs matériaux. Lorsque la fluence implantée est suffisante, les nanocavités peuvent causer le cloquage ou le clivage du matériau implanté. Cette fluence est appelée fluence critique. Ce phénomène est à l’origine du procédé commercial SmartCut, qui est utilisé pour fabriquer des gaufres de type ''silicon-on-insulator'' (SOI). Dans ce travail, nous avons étudié la formation des nanocavités dans le GaN. Nous avons comparé deux types de GaN : des couches de GaN déposées sur saphir (sap-GaN) et des substrats massifs de GaN …
Colloque
La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
