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Colloque
La fabrication de dispositifs tout silicium serait une avancée majeure en optoélectronique. Cette perspective est devenue envisageable depuis qu'il a été démontré qu'à l'échelle nanométrique, le silicium peut émettre de la lumière suite à une excitation. Des nanocristaux de silicium (nc-Si) peuvent être produits par implantation d'ions de Si dans une matrice d'oxyde de silicium (SiO2) suivie d'un recuit à haute température. Le spectre de photoluminescence observé, suite à une illumination de l'échantillon par laser, est fortement déformé lorsque le SiO2 est sous forme de film mince (~ μm), en comparaison avec un spectre obtenu à partir d'un échantillon de …
Colloque
Le silicium, qui est un piètre émetteur de lumière. Lorsqu'il se retrouve à des dimensions nanométriques, le Si peut émettre de la lumière suite à une excitation. La microscopie électronique en transmission (MET) a été utilisée pour caractériser des nanocristaux de silicium obtenus par implantation ionique dans une couche d'oxyde de silicium amorphe (SiO2). Les ions de silicium sont implantés à 100 keV dans la couche de SiO2 à différentes doses d'implantation (2.1016; 8.1016; 3.1017 Si+/cm2). Ensuite les échantillons sont soumis à un traitement thermique à 1100 °C pendant 1 et 4 h sous atmosphère d'azote puis à 500 °C …
Colloque
Le silicium, qui est un piètre émetteur de lumière. Lorsqu'il se retrouve à des dimensions nanométriques, le Si peut émettre de la lumière suite à une excitation. La microscopie électronique en transmission (MET) a été utilisée pour caractériser des nanocristaux de silicium obtenus par implantation ionique dans une couche d'oxyde de silicium amorphe (SiO2). Les ions de silicium sont implantés à 100 keV dans la couche de SiO2 à différentes doses d'implantation (2.1016; 8.1016; 3.1017 Si+/cm2). Ensuite les échantillons sont soumis à un traitement thermique à 1100 °C pendant 1 et 4 h sous atmosphère d'azote puis à 500 °C …
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Le silicium, qui est un piètre émetteur de lumière. Lorsqu'il se retrouve à des dimensions nanométriques, le Si peut émettre de la lumière suite à une excitation. La microscopie électronique en transmission (MET) a été utilisée pour caractériser des nanocristaux de silicium obtenus par implantation ionique dans une couche d'oxyde de silicium amorphe (SiO2). Les ions de silicium sont implantés à 100 keV dans la couche de SiO2 à différentes doses d'implantation (2.1016; 8.1016; 3.1017 Si+/cm2). Ensuite les échantillons sont soumis à un traitement thermique à 1100 °C pendant 1 et 4 h sous atmosphère d'azote puis à 500 °C …
