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Colloque
Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et D de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de moins de 100 nm d’épaisseur. Plusieurs échantillons de silicium d’orientation (100) ont été implantés, à la température ambiante, d’ions H et D de 5 keV. À la suite d’un traitement RCA modifié rendant les surfaces hydrophiles, les échantillons implantés sont « soudés » à une tranche de silicium comportant une couche d’oxyde de 300 nm …
Colloque
Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et D de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de moins de 100 nm d’épaisseur. Plusieurs échantillons de silicium d’orientation (100) ont été implantés, à la température ambiante, d’ions H et D de 5 keV. À la suite d’un traitement RCA modifié rendant les surfaces hydrophiles, les échantillons implantés sont « soudés » à une tranche de silicium comportant une couche d’oxyde de 300 nm …
