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Colloque
Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation …
Colloque
Le silicium, qui est un piètre émetteur de lumière. Lorsqu'il se retrouve à des dimensions nanométriques, le Si peut émettre de la lumière suite à une excitation. La microscopie électronique en transmission (MET) a été utilisée pour caractériser des nanocristaux de silicium obtenus par implantation ionique dans une couche d'oxyde de silicium amorphe (SiO2). Les ions de silicium sont implantés à 100 keV dans la couche de SiO2 à différentes doses d'implantation (2.1016; 8.1016; 3.1017 Si+/cm2). Ensuite les échantillons sont soumis à un traitement thermique à 1100 °C pendant 1 et 4 h sous atmosphère d'azote puis à 500 °C …
