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Nous travaillons à développer des sources laser basées sur un milieu actif de Ti:saphir, émettant des impulsions dans le proche infrarouge, femtoseconde et puissantes. Nous utilisons pour cela des sources d'injection, synchronisées modalement de faible puissance, qui sont ensuite amplifiées dans le laser esclave qui peut-être pompé de façon continue ou impulsionnelle. Nous avons deux sources d'injection à notre disposition, soit un laser à semi-conducteurs émettant des impulsions de 600 fs à un taux de répétition de 6 GHz, avec 2 mW de puissance, ainsi qu'un laser à fibre émettant des impulsions de 100 fs à 20 MHz avec 20 …
Nous nous intéressons à la génération d’impulsions brèves (~500 fs) à l’aide d’une diode laser (850 nm) placée dans une cavité externe de type annulaire. Le processus clé de la dynamique est la synchronisation modale passive. Un volet numérique est consacré à la simulation de ce phénomène. Notre objectif vise à établir une meilleure compréhension de la dynamique de ce laser, permettant ainsi un meilleur contrôle des mécanismes responsables de l'apparition d'impulsions brèves dans les lasers à semiconducteurs. Nos simulations portent sur l’interaction entre deux impulsions se croisant dans un milieu de gain, et du couplage qui existe entre les …