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Montage automatisé de caractérisation de la région de charge d'espace d'une jonction métal-semi-conducteur
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Une grande partie des propriétés électro-optiques des semiconducteurs est déterminée par les états situés entre la bande de valence et la bande de conduction. À l'interface d'une jonction métal-semiconducteur, ces états créent une région de charge d'espace dans le semiconducteur. Un montage automatisé de caractérisation de cette région a été mis en opération pour les semiconducteurs amorphes. Il permet des mesures de courants et de capacités en fonction de paramètres tels la polarisation, la fréquence, la température et le temps.

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Étude de la Magnétorésistance dans les alliages de Fer-Zirconium amorphes
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Les alliages amorphes de Fe-Zr sont ferromagnétiques pour des concentrations de fer au-dessus de 37%. Le comportement de la magnétorésistance pour les alliages dont la concentration en Fe est inférieure à cette valeur est nettement différente de celle des échantillons ferromagnétiques. Nous présentons ici les mesures de Δρ/ρ entre 1.5 et 300 K pour des champs magnétiques de 0 à 5 Tesla. Pour des échantillons de faibles concentrations en Fe, nous avons trouvé un ΔK et un 1/n de l'ordre de 10^-6 et un comportement en température comme T^n. Nous trouvons aussi une dépendance en fonction du champ magnétique en …

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Absorption des états localisés du gap du silicium amorphe hydrogéné à partir du spectre de photoconductivité
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La densité d'états dans le gap du a-Si:H détermine les propriétés électro-optiques des dispositifs et le rendement des cellules solaires à base de ce matériau. Une information valable sur la distribution de ces états localisés peut être obtenue par la mesure du spectre d'absorption optique T(hν) à basse énergie. Une des techniques expérimentales les plus appropriées pour dériver T(hν) est basée sur l'utilisation du spectre photoconductivité. Dans cette étude, nous décrivons la méthode de photocourant constant (CPM) et nous présentons des résultats sur nos échantillons de a-Si:H préparés sous différentes conditions.

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Résistivité électrique des métaux amorphes Fe_x Zr_1-x: fluctuations de spin
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La variation de la résistivité électrique des composés métalliques amorphes Fe_x Zr_1-x en fonction de la température et sous différentes pressions hydrostatiques a été mesurée pour des concentrations en Fe autour de la concentration critique (transition paramagnétique - ferromagnétique). L'analyse des premiers résultats montre une variation linéaire négative aux hautes températures (T > 50K) puis l'apparition aux basses températures (4.2 < T < 50K) d'un maximum et une variation parabolique positive. Le comportement de la résistivité à basse température et son évolution en fonction de la concentration de Fe dans le composé est attribué à la diffusion des électrons de …

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