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L'étude des propriétés électriques des chalcogénures de Ge, Sn et Pb conduit à la conclusion que ces composés conservent leurs propriétés de semiconducteurs à l'état liquide. L'analyse des résultats obtenus permet d'établir une corrélation entre les structures des solides et celles des liquides correspondants. Le mécanisme de fusion de ces différents composés sera discuté.
Des travaux antérieurs (Handfield, Ross et Bourgon) ont démontré que les chalcogénures de Ge, Sn et Pb stoïchiométriques demeurent des semiconducteurs à l'état liquide. L'application de l'approximation des bandes à ces liquides permet de caractériser chacun de ceux-ci par une zone d'énergie interdite E_L. Dans le présent travail, la valeur de la zone interdite de GeSe liquide a été déterminée à plusieurs compositions dans l'intervalle 49.5 - 52.0% at. Ge. L'influence des écarts à la stoechiométrie sur la valeur de E_L et sur les valeurs de la conductivité électrique sera discutée.
Le diagramme de phase du système Ge-Se a été déterminé par analyse thermique différentielle. Le diagramme obtenu est totalement différent de celui rapporté par Liu Ch'un-hua et coll. Dokl. Akad. Nauk URSS, 146, 1092 (1962). Les résultats obtenus par a.t.d. sont en accord avec certains résultats obtenus à partir de mesures de conductivité électrique. Dans sa forme générale, le diagramme Ge-Se est semblable aux diagrammes des systèmes Ge-S, Sn-S et Sn-Se.
Des résultats sur la variation de la conductivité électrique du sulfure de germanium GeS liquide en fonction de la température ont été présentés au congrès de l'ACFAS 1965. De nouvelles mesures ont été effectuées sur un intervalle de température plus étendu c'est-à-dire, jusqu'au point d'ébullition du sulfure. Une étude parallèle sur le sulfure de germanium solide sera commentée.