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Colloque
Des mesures de magnétorésistance et de l'effet Faraday dû aux porteurs libres ont été faites sur quatre monocristaux de GaSb de type n, dopés au tellure. D'où on a pu calculer ΔE (différence d'énergie entre les minima des bandes de conduction (000) et <111>), et m|t/m (masse effective transversale des électrons <111>). On trouve que ΔE est une fonction de la quantité de tellure. m|t/m. dAE (variation de E en fonction de la quantité de dy tellure) et dAE/dT (coefficient de température de ∆E) dépendent de la valeur du paramètre de diffusion choisi.
Colloque
La rotation de Faraday, le pouvoir magnétothermoélectrique et la reflectance infra-rouge ont été mesurés à la température ambiante dans des alliages de GaxIn1-xSb de type n. En utilisant le modèle de Kane, les trois méthodes donnent la même masse efficace des électrons en fonction de la composition x. Le paramètre de diffusion s, déterminé à l'aide du pouvoir magnétothermoélectrique, est près de 0.5 pour toutes les valeurs de composition, impliquant un mécanisme de diffusion polaire dans ces alliages.
