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Colloque
Suite à la croissance de cristaux de Zr3S4 en phase gazeuse, nous avons entrepris des mesures de résistivité, du coefficient de Hall et du pouvoir thermoélectrique dans la gamme de 300 à 500 K. Les échantillons montrent un comportement semi-conducteur avec une résistivité typique à l'ambiante de 40 Ω-cm et un pouvoir thermoélectrique de 820 μV/K où les porteurs dominants sont les électrons. Une énergie d'activation de 0.2 ± 0.02 eV a aussi été mesurée. Le pouvoir thermoélectrique se comporte en 1/T, typique d'un semi-conducteur. La mobilité à basse température est déterminée par la diffusion des impuretés ionisées où μi …
