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Fuite thermique des porteurs de charge dans des familles de boîtes quantiques auto-assemblées d’InAs/InP
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L’évolution de la photoluminescence en fonction de la température (10 à 300 K) a été étudiée dans deux échantillons de boîtes quantiques auto-assemblées d’InAs/InP. Afin de comprendre la réduction de l’intensité des multiples pics d’émission en fonction de la température, un modèle basé sur les équations du bilan détaillé a été créé. Il inclut la fuite thermique des porteurs des boîtes quantiques vers la couche de mouillage et vers la barrière d’InP, puis la recapture de ceux-ci et l’émission non radiative. Nous avons été en mesure de reproduire, grâce à une seule série de paramètres, l’intensité de chaque pic d’émission …

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