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Les nitrures, semiconducteurs centrés sur le GaN, ont un intérêt technologique considérable. On les utilise dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans le bleu-ultraviolet. Malgré le fait qu'ils sont aujourd'hui utilisés massivement dans les émetteurs bleus, les mécanismes de recombinaison des porteurs ne sont pas bien connus. En particulier, la dynamique temporelle de recombinaison, nettement plus lente qu'une exponentielle, est toujours incomprise. Nous avons étudié des puits quantiques InGaN/GaN minces et à concentration modérée d'indium. Nous montrons d'abord que la recombinaison dans ces puits est dominée par la localisation des porteurs. La dynamique de recombinaison a deux comportements : …