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7 résultats de recherche
pen icon Communication
Étude des surfaces de quartz et de Si/SiO2 modifiées par implantation ionique à l'aide de la technique XPS
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L'objectif de cette recherche est de modifier la mouillabilité des surfaces composées d'oxyde de silicium, SiO2, principal composant de la porcelaine, des verres et des couches anti-rayures utilisées en optométrie, afin de mettre au point des traitements anti-buée et anti-givre. L'implantation ionique à basse énergie (~keV) est un outil efficace pour ces traitements. Il a l'avantage sur les plasmas de permettre un meilleur contrôle des paramètres de traitement (énergie, dose et pureté du faisceau) tout en éliminant les rayonnements X et UV. Les matériaux utilisés sont le quartz (isolant) et le silicium (semi-conducteur avec une surface de SiO2) ce qui …

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pen icon Colloque
Préparation de films minces a-CH par déposition par plasma HF et l'étude de leur comportement suite à leur exposition au plasma dans le Tokamak de Varennes
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L'étude des interactions plasma-paroi et la compréhension des phénomènes multiples qui les gouvernent ont permis de confirmer que la technologie associée, à la fusion thermonucléaire contrôlée, ne peut se faire valoir qu’avec la réduction des contraintes thermiques, mécaniques, chimiques et neuroniques qu’auront à subir les structures du réacteur. Ces problèmes de nature technique, d’un coût, et technologique, de l’autre, pourraient être réduits, entre autres, par le recouvrement de la paroi par des matériaux à faible Z. Dans ce sens, des films minces de a-CH ont été déposés par plasma HF de 13.56 MHz à partir d’un mélange 10% CH4, H2 …

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pen icon Colloque
Influence de la vitesse de sublimation sur la photoactivité de la phtalocyanine de chloroaluminium (PcAlCl)
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La PcAlCl peut subir deux modifications structurales qui sont appelées I et H en fonction de leur réponse spectrale typique, en particulier dans la bande d'absorption Q de la Pc qui s'élargit différemment dans l'IR pour les deux transformations. Les photo-courants en court-circuit mesurés pour la PcAlCl, au contact du couple rédox I/I2, sont: 1.0 mA/cm² pour la modification H et de 0.65 mA/cm² pour la transformation I sous une illumination en lumière blanche de 35 mW/cm². En augmentant le taux de croissance du film de 2000 à 20000 /min, on accroît le photo-courant qui passe respectivement à 1.5 mA/cm² …

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Caractérisation de l'oxyde de Vanadium préparé par électrodéposition
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Parmi les matériaux électrochromiques à base des oxydes de transition, l'oxyde de vanadium (V2O5) a reçu récemment beaucoup d'intérêt en vue de son potentiel d'utilisation comme contre-électrode dans une cellule électrochromique à base de WO3. V2O5 montre une coloration en clair (dépendamment de l'épaisseur) et jaune en fonction de l'injection réversible du cation Li+. Des films de V2O5 sont préparés par électrodéposition, une technique peu coûteuse permettant de couvrir de grandes surfaces, à partir d'une solution de vanadium métallique dans H2O2. Différents films sont obtenus suivant le temps et le potentiel de déposition. Ces films sont caractérisés par FTIR, XRD, …

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pen icon Colloque
Augmentation de la photoactivité de la phthalocyanine de chloroaluminium par la modification chimique des films
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Nous avons utilisé divers anions organiques et inorganiques pour modifier chimiquement des films minces de phthalocyanine de chloroaluminium (ClAlPc). Deux types de modifications caractérisées par un spectre d'absorption visible typique ont été nommées H et L. Après une transformation du type H, la phthalocyanine modifiée produit un courant en court circuit allant de 0.2 à 1 mA cm-2 en fonction de la nature de l'anion inclus dans sa structure. Après une transformation du type I, les valeurs obtenues pour différents anions s'étalent de 0.1 à 0.8 mA cm-2. Ces courants sont mesurés sous irradiation en lumière blanche de 35 mW …

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pen icon Colloque
Étude de structure et de changement de phase des semiconducteurs Cu2Se, Cu2-x Se et CuSe
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Récemment, les semiconducteurs de type CuSe ont suscité beaucoup d'intérêt à cause des applications en électronique et en photovoltaïque. Ces semiconducteurs ont été surtout préparés par chauffage des mélanges de poudres de sélénium et de cuivre sous vide, à des températures allant jusqu'à 1000 °C, pour des durées allant jusqu'à une semaine. Nous présentons ici les premiers travaux sur la préparation des films minces de CuSe avec différents rapports atomiques par électrodéposition et les études de structure et de changement de phase in situ des couches minces. Le contrôle de la composition du film mince se fait par changement du …

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pen icon Colloque
Comportement des getters frais au Zr-V-Fe exposés à l'hydrogène dans un système ultra haut vide
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Les getters sont utilisés dans les tokamaks pour pomper l'hydrogène et les volatiles tels que H2O, CO et CO2. Initialement passivés à cause d'une couche d'oxyde en surface, ils nécessitent un chauffage. Dans certaines expériences, des getters frais, c'est-à-dire passivés et non chauffés, exposés à l'hydrogène à l'état gazeux, ont été utilisés. L'addition à l'hydrogène a été suggérée pour expliquer ces dommages. Par une série d'expositions à haute pression (1 Torr), nous avons déterminé la variation de la vitesse de pompage d'un getter frais au Zr-V-Fe. Par une série d'expositions à basse pression (10^-7 à 10^-8 Torr), nous avons observé …

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