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Colloque
L'irradiation de substrats de silice (SiO2) par des ions de haute énergie mène à la formation de guide d'ondes près de la surface. Bien que les défauts et les centres de couleur ainsi créés donnent lieu à des applications technologiques utiles, un modèle physique clair reste encore à trouver. La technique de spectroscopie d'annihilation de positrons d'énergie variable est particulièrement bien adaptée à l'étude des défauts se trouvant près de la surface et on l'a ici utilisée pour étudier des échantillons de silice irradiés avec des ions de Si et de Ge possédant des énergies comprises entre 1.5 et 27 …
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L'irradiation de substrats de silice (SiO2) par des ions de haute énergie mène à la formation de guide d'ondes près de la surface. Bien que les défauts et les centres de couleur ainsi créés donnent lieu à des applications technologiques utiles, un modèle physique clair reste encore à trouver. La technique de spectroscopie d'annihilation de positrons d'énergie variable est particulièrement bien adaptée à l'étude des défauts se trouvant près de la surface et on l'a ici utilisée pour étudier des échantillons de silice irradiés avec des ions de Si et de Ge possédant des énergies comprises entre 1.5 et 27 …
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L'irradiation de substrats de silice (SiO2) par des ions de haute énergie mène à la formation de guide d'ondes près de la surface. Bien que les défauts et les centres de couleur ainsi créés donnent lieu à des applications technologiques utiles, un modèle physique clair reste encore à trouver. La technique de spectroscopie d'annihilation de positrons d'énergie variable est particulièrement bien adaptée à l'étude des défauts se trouvant près de la surface et on l'a ici utilisée pour étudier des échantillons de silice irradiés avec des ions de Si et de Ge possédant des énergies comprises entre 1.5 et 27 …
