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Colloque
En utilisant l'eau comme agent de transport, nous faisons croître des couches épitaxiques de GaAs sur substrat en Ge de section épitaxique de substrat à un diamètre de 2.5 cm et plus. Le taux de croissance est de 6...7 µm par heure et nous constatons deux types de croissance: durant les 5000 premiers , les couches sont polycristallines pour finir linéaire par la suite. Des couches d'orientation différente ont également été étudiées, mais le meilleur film obtenu est orienté <100>. Les couches épitaxiques obtenues à partir de source semi-isolante et sur substrat en GaAs sont de type N avec une …
Colloque
En utilisant l'eau comme agent de transport, nous faisons croître des couches épitaxiques de GaAs sur substrat en Ge de section épitaxique de substrat à un diamètre de 2.5 cm et plus. Le taux de croissance est de 6...7 µm par heure et nous constatons deux types de croissance: durant les 5000 premiers , les couches sont polycristallines pour finir linéaire par la suite. Des couches d'orientation différente ont également été étudiées, mais le meilleur film obtenu est orienté <100>. Les couches épitaxiques obtenues à partir de source semi-isolante et sur substrat en GaAs sont de type N avec une …
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En utilisant l'eau comme agent de transport, nous faisons croître des couches épitaxiques de GaAs sur substrat en Ge de section épitaxique de substrat à un diamètre de 2.5 cm et plus. Le taux de croissance est de 6...7 µm par heure et nous constatons deux types de croissance: durant les 5000 premiers , les couches sont polycristallines pour finir linéaire par la suite. Des couches d'orientation différente ont également été étudiées, mais le meilleur film obtenu est orienté <100>. Les couches épitaxiques obtenues à partir de source semi-isolante et sur substrat en GaAs sont de type N avec une …
