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Colloque
Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur …
Colloque
Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur …
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Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur …
Colloque
En utilisant l'eau comme agent de transport, nous faisons croître des couches épitaxiques de GaAs sur substrat en Ge de section épitaxique de substrat à un diamètre de 2.5 cm et plus. Le taux de croissance est de 6...7 µm par heure et nous constatons deux types de croissance: durant les 5000 premiers , les couches sont polycristallines pour finir linéaire par la suite. Des couches d'orientation différente ont également été étudiées, mais le meilleur film obtenu est orienté <100>. Les couches épitaxiques obtenues à partir de source semi-isolante et sur substrat en GaAs sont de type N avec une …
