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Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous avons produit par épitaxie par jets moléculaires des points quantiques auto-assemblés dans le système InAs/GaAs de différentes grandeurs et de densité d'ensemble variée. Ceci a été accompli en contrôlant la pression d'arsenic pendant la déposition et le recuit de l'InAs. L'évolution d'ensembles de points quantiques a été étudiée en variant la pression d'arsenic à une quantité d'InAs déposée spécifique, ainsi qu'en variant la quantité d'InAs déposée à trois pressions d'arsenic. Nos résultats suggèrent que le contrôle qu'exerce la pression d'arsenic sur les points quantiques se fait par l'entremise de la variation de la longueur de diffusion de l'indium en …
