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Interdiffusion des points quantiques InAs/GaAs et InAs/GaAs/AlGaAs
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Le recuit rapide d'un échantillon de points quantiques en InAs dans une barrière de GaAs a pour effet de causer l'interdiffusion des atomes. Conséquemment, la photoluminescence des points quantiques subit un fort décalage vers le bleu, ~250 meV pour un recuit à 900°C. On peut donc sélectionner l'énergie d'émission ou la séparation en énergie des niveaux discrets des points quantiques puisque ces niveaux se rapprochent avec l'augmentation de la température du recuit. Bien que ce système présente des niveaux d'énergie mieux définis après l'interdiffusion dû à une diminution d'un facteur 3 approximativement de l'élargissement inhomogène des raies d'émission, ce n'est …

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