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Colloque
La caractérisation des transistors de puissance est laborieuse (effets thermiques) et ne génère pas de résultats précis. De plus, les modèles locaux conventionnels ne prédisent pas avec précision les caractéristiques des HBTs de dimensions importantes. Ces dispositifs possèdent une nature distribuée qui ne peut être incluse dans les modèles localisés. Les travaux récents nous rapportent que la caractérisation des HBTs de dimensions réduites (dispositifs faible puissance) est relativement facile et un modèle localisé est adéquat pour prédire leurs caractéristiques dans un grand nombre de situations. Puisque les HBTs de puissance se sont souvent une connexion parallèle d'un nombre de cellules …
Colloque
Le transistor bipolaire à hétérojonctions (HBT: "Heterojunction Bipolar Transistor") fabriqué avec des matériaux du groupe III-V (GaAlAs/GaAs), présente plusieurs avantages, vis à vis autres types de transistor, tels que: opération à des fréquences plus élevées, gain en courant, puissance de sortie et tension de claquage élevées et dimensions physiques réduites. Tous ces facteurs laissent croire que ce type de transistor est adapté pour les circuits de communications numériques dans la bande EHF aussi bien que dans la bande UHF pour les communications mobiles. Les modèles électriques existants des HBTs sont des circuits petit-signal. Pour pouvoir simuler le circuit équivalent d'un …
Colloque
Le transistor bipolaire à hétérojonctions (HBT: "Heterojunction Bipolar Transistor") fabriqué avec des matériaux du groupe III-V (GaAlAs/GaAs), présente plusieurs avantages, vis à vis autres types de transistor, tels que: opération à des fréquences plus élevées, gain en courant, puissance de sortie et tension de claquage élevées et dimensions physiques réduites. Tous ces facteurs laissent croire que ce type de transistor est adapté pour les circuits de communications numériques dans la bande EHF aussi bien que dans la bande UHF pour les communications mobiles. Les modèles électriques existants des HBTs sont des circuits petit-signal. Pour pouvoir simuler le circuit équivalent d'un …
Colloque
L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments …
Colloque
L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments …
Colloque
Pour déterminer le modèle électrique d'un transistor micro-ondes, l'approche actuelle utilise des mesures DC et les paramètres S du transistor en petit signal avec des conditions de polarisation différentes, mais les conditions d'opération à grand signal sont différentes à celles des conditions utilisées pour l'obtention du circuit équivalent, par conséquent la précision est affectée. L'objectif principal de ce projet est de modéliser un transistor qui peut opérer efficacement en RF et à grand signal. Pour se faire une base de données des mesures RF à grand signal ("load-pull"), dans des conditions de polarisation et de fréquences différentes, est utilisée pour …
Colloque
Pour déterminer le modèle électrique d'un transistor micro-ondes, l'approche actuelle utilise des mesures DC et les paramètres S du transistor en petit signal avec des conditions de polarisation différentes, mais les conditions d'opération à grand signal sont différentes à celles des conditions utilisées pour l'obtention du circuit équivalent, par conséquent la précision est affectée. L'objectif principal de ce projet est de modéliser un transistor qui peut opérer efficacement en RF et à grand signal. Pour se faire une base de données des mesures RF à grand signal ("load-pull"), dans des conditions de polarisation et de fréquences différentes, est utilisée pour …
