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Mesures Pulsées des Paramètres S d’un GaAs MESFET à l’Aide d’un Analyseur de Réseaux Six-Port
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Le développement croissant des communications par satellites et des communications mobiles nécessitent la fabrication de circuits intégrés micro-ondes de plus en plus performants au point de vue puissance, efficacité énergétique et linéarité. Le CAO/FAO de ces circuits intégrés exigent une modélisation précise des dispositifs actifs utilisés. Or, il est bien connu que les dispositifs en arséniure de gallium souffrent d’effets thermiques et dispersifs importants qui les rendent difficiles à modéliser. On peut étudier ce caractère dispersif à l’aide de mesures à très haute température des paramètres S à une impulsion. Pour ce faire, nous avons développé un analyseur de réseau …

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Conception assistée par ordinateur d'un diviseur de puissance inégal à large-bande aux fréquences micro-ondes
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Dans les vingt dernières années, plusieurs articles ont été publiés sur les diviseurs de puissance micro-ondes avec sorties égales en phase et en amplitude. Par contre, dans plusieurs applications un diviseur du même type mais avec un rapport de puissance à la sortie inusité est souvent requis. Récemment, WAHI a proposé une méthode pour la conception d'un tel diviseur constitué de deux sections centrales. Bien que de bons résultats furent obtenus, la procédure de conception doit être généralisée à un nombre de sections quelconques pour satisfaire les spécifications de largeur de bande et d'adaptation imposées. Un tel essai vient donc …

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Extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un MESFET utilisant des mesures "load-pull" multi-harmoniques
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L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments …

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Maximisation de la puissance de sortie d'oscillateurs opérants dans les hyperfréquences
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Il est souhaitable d'obtenir le maximum de puissance d'un oscillateur à micro-ondes. La caractéristique non-linéaire de la source de courant d'un FET fabriqué en AsGa génère des signaux à des fréquences harmoniques de la fondamentale. On peut donc supposer que la modification des charges vues par les signaux harmoniques auront un effet sur le signal de sortie de l'oscillateur ainsi que sur la puissance livrée à la fondamentale. L'étude de l'effet des charges de terminaison et de sortie vues par les harmoniques sur la puissance livrée à la fondamentale a été faite à l'aide de simulations par ordinateur et la …

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Une nouvelle méthode de conception optimale pour les multiplicateurs de fréquence à transistor
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Cette communication présente une nouvelle méthode de conception des multiplicateurs de fréquence à transistor. Les résultats expérimentaux d'un transistor NE 71083 mesuré sur le banc de mesure à charges actives multiharmoniques sont utilisés pour concevoir un tripler de fréquence 2.5 à 7.5 GHz. Les choix du point de polarisation, du niveau de puissance d'entrée, des harmoniques à la fréquence fondamentale et aux harmoniques sont considérés pour optimiser le fonctionnement du tripler en termes de gain de conversion et d'efficacité.

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Modélisation d'un transistor micro-ondes utilisant des mesures "load-pull"
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Pour déterminer le modèle électrique d'un transistor micro-ondes, l'approche actuelle utilise des mesures DC et les paramètres S du transistor en petit signal avec des conditions de polarisation différentes, mais les conditions d'opération à grand signal sont différentes à celles des conditions utilisées pour l'obtention du circuit équivalent, par conséquent la précision est affectée. L'objectif principal de ce projet est de modéliser un transistor qui peut opérer efficacement en RF et à grand signal. Pour se faire une base de données des mesures RF à grand signal ("load-pull"), dans des conditions de polarisation et de fréquences différentes, est utilisée pour …

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Méthode d'optimisation de l'efficacité des amplificateurs de puissance aux fréquences micro-ondes
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Les transistors de puissance à effet de champs (GaAsFET) sont de plus en plus utilisés dans les satellites de communication. Dans un tel environnement où la consommation électrique doit être minimisée, l'efficacité des amplificateurs de puissance se doit d'être optimale. La méthode présentée est basée sur la technique du "Load-Pull" actif réalisée avec un analyseur de réseaux six-port. Le réflectomètre six-port permet de mesurer simultanément la charge présentée et la puissance dissipée dans celle-ci et ce, sans les coupleurs directionnels nécessaires dans les méthodes conventionnelles. Les mesures obtenues permettent de trouver le compromis entre la puissance de sortie et l'efficacité …

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Mesure de la permittivité complexe en utilisant un analyseur de réseau six-port et une ligne coaxiale terminée par un circuit ouvert
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Nos travaux portent sur la modélisation de cellules coaxiales propres à la mesure de la permittivité d'un échantillon. Nous utilisons un analyseur de réseau six-port automatisé qui nous permet de mesurer le coefficient de réflexion produit par l'échantillon à tester. La modélisation consiste à relier le coefficient de réflexion mesuré à la permittivité complexe de l'échantillon. Notre méthode modélise l'échantillon par un bout de ligne coaxiale dont le diélectrique a la même permittivité que celle de l'échantillon à mesurer. Grâce à cette méthode, nous mesurons une grande gamme de permittivité en utilisant un seul échantillon de permittivité connue. Nos résultats …

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Mesure de la puissance micro-onde utilisant le réflectomètre six-port
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Le but de cette communication est de permettre de montrer qu'en utilisant le réflectomètre six-port, il est possible de mesurer la puissance absolue incidente qui excelle le dispositif sous test, la puissance réfléchie et la puissance absorbée. Ce bilan de puissance est obtenu à partir des paramètres d'étalonnage du réflectomètre six-port à la fréquence de mesure, des quatre lectures des puissances détectées à la sortie des quatre accès de la jonction six-port et du coefficient de réflexion calculé. Cette procédure pour la mesure de la puissance micro-onde est basée sur l'estimation de l'impédance dans la conception des amplificateurs micro-ondes actifs. …

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L'utilisation d'une charge adaptée mobile dans la calibration du réflectomètre hyperfréquentiel à six-accès
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L'utilisation d'une charge adaptée comme étalon (standard) dans la calibration du réflectomètre à six-accès permet d'obtenir des résultats de mesure précis pour des charges sous test ayant une impédance près du centre de l'abaque de Smith. D'autre part, l'utilisation d'une charge adaptée mobile permet de déterminer la directivité du système de mesure. Ayant cette directivité, les mesures de puissances associées à une charge adaptée parfaite, peuvent être calculées à partir d'une série (trois) de mesures de puissances obtenues pour 3 positions différentes de la charge adaptée mobile. Pour démontrer cette méthode, un réflectomètre à six-accès est calibré premièrement en utilisant …

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