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Colloque
Pour déterminer le modèle électrique d'un transistor micro-ondes, l'approche actuelle utilise des mesures DC et les paramètres S du transistor en petit signal avec des conditions de polarisation différentes, mais les conditions d'opération à grand signal sont différentes à celles des conditions utilisées pour l'obtention du circuit équivalent, par conséquent la précision est affectée. L'objectif principal de ce projet est de modéliser un transistor qui peut opérer efficacement en RF et à grand signal. Pour se faire une base de données des mesures RF à grand signal ("load-pull"), dans des conditions de polarisation et de fréquences différentes, est utilisée pour …
Colloque
Les transistors de puissance à effet de champs (GaAsFET) sont de plus en plus utilisés dans les satellites de communication. Dans un tel environnement où la consommation électrique doit être minimisée, l'efficacité des amplificateurs de puissance se doit d'être optimale. La méthode présentée est basée sur la technique du "Load-Pull" actif réalisée avec un analyseur de réseaux six-port. Le réflectomètre six-port permet de mesurer simultanément la charge présentée et la puissance dissipée dans celle-ci et ce, sans les coupleurs directionnels nécessaires dans les méthodes conventionnelles. Les mesures obtenues permettent de trouver le compromis entre la puissance de sortie et l'efficacité …
