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Colloque
Nous avons produit par épitaxie par jets moléculaires des points quantiques auto-assemblés dans le système InAs/GaAs de différentes grandeurs et de densité d'ensemble variée. Ceci a été accompli en contrôlant la pression d'arsenic pendant la déposition et le recuit de l'InAs. L'évolution d'ensembles de points quantiques a été étudiée en variant la pression d'arsenic à une quantité d'InAs déposée spécifique, ainsi qu'en variant la quantité d'InAs déposée à trois pressions d'arsenic. Nos résultats suggèrent que le contrôle qu'exerce la pression d'arsenic sur les points quantiques se fait par l'entremise de la variation de la longueur de diffusion de l'indium en …
