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Colloque
Depuis 3 ans, nous développons au CNRC une nouvelle technologie pour l'imagerie infrarouge. Les techniques de croissance des semiconducteurs III-V permettent l'élaboration de dispositifs optoélectroniques de grande surface avec une densité minimale de défauts cristallins. Dans le cas présent, en épitaxie par jets moléculaires, un détecteur quantique GaAs/AlGaAs de type QWIP est intégré à une diode électroluminescence (LED) en GaAs. Les charges libres générées par le photoconducteur se recombinent avec les trous dans la LED. Ainsi, une radiation moyen-infrarouge peut être convertie en un signal optique proche-infrarouge. Ce signal est ensuite lu par un détecteur standard au silicium. La diffusion …
