Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Communication
Le CoSi2, de par sa faible résistivité et son paramètre de maille presque identique à celui du Si, est idéal pour la métallisation des circuits intégrés. La grande réactivité de Co rend difficile la croissance de CoSi2 de bonne qualité par recuit de Co sur Si. L’implantation ionique suivie d’un recuit thermique est une alternative prometteuse pour former des couches épitaxiales de CoSi2. Nous avons implanté des doses de Co allant de 1x1016 à 1,5x1017 cm-2 dans des substrats de Si(001) pour étudier les étapes initiales de la croissance de CoSi2. L’énergie d’implantation de 300 keV correspond à une profondeur …
Communication
Le CoSi2, de par sa faible résistivité et son paramètre de maille presque identique à celui du Si, est idéal pour la métallisation des circuits intégrés. La grande réactivité de Co rend difficile la croissance de CoSi2 de bonne qualité par recuit de Co sur Si. L’implantation ionique suivie d’un recuit thermique est une alternative prometteuse pour former des couches épitaxiales de CoSi2. Nous avons implanté des doses de Co allant de 1x1016 à 1,5x1017 cm-2 dans des substrats de Si(001) pour étudier les étapes initiales de la croissance de CoSi2. L’énergie d’implantation de 300 keV correspond à une profondeur …
