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Colloque
Cinq couches de points quantiques InAs séparées par un matériel quaternaire InGaAsP constituent la région active d’une diode laser dont le confinement optique est réalisé à l’aide d’InP. L’étude de cette diode montre que sa longueur d’onde d’émission est ~1.6 um à une température de 77K. Toutefois, cette longueur d’onde, ainsi que la densité de courant seuil, peut être modifiée en changeant la longueur de la cavité du laser et dans le cas de la plus longue cavité, il a été possible d’atteindre un seuil aussi bas que 49 A/cm2 à 77K. Une dépendance en température du courant seuil a …
