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L'étude des propriétés électriques des chalcogénures de Ge, Sn et Pb conduit à la conclusion que ces composés conservent leurs propriétés de semiconducteurs à l'état liquide. L'analyse des résultats obtenus permet d'établir une corrélation entre les structures des solides et celles des liquides correspondants. Le mécanisme de fusion de ces différents composés sera discuté.
L'étude des propriétés électriques des chalcogénures de Ge, Sn et Pb conduit à la conclusion que ces composés conservent leurs propriétés de semiconducteurs à l'état liquide. L'analyse des résultats obtenus permet d'établir une corrélation entre les structures des solides et celles des liquides correspondants. Le mécanisme de fusion de ces différents composés sera discuté.
Des travaux antérieurs (Handfield, Ross et Bourgon) ont démontré que les chalcogénures de Ge, Sn et Pb stoïchiométriques demeurent des semiconducteurs à l'état liquide. L'application de l'approximation des bandes à ces liquides permet de caractériser chacun de ceux-ci par une zone d'énergie interdite E_L. Dans le présent travail, la valeur de la zone interdite de GeSe liquide a été déterminée à plusieurs compositions dans l'intervalle 49.5 - 52.0% at. Ge. L'influence des écarts à la stoechiométrie sur la valeur de E_L et sur les valeurs de la conductivité électrique sera discutée.
Pour faire suite à un travail sur les propriétés électriques des composés IV-VI à l'état liquide, les enthalpies de fusion de GeS, GeSe, SnS et SnSe ont été déterminées par calorimétrie différentielle dynamique. De façon générale, les entropies de fusion des composés IV-VI sont relativement faibles, ce qui semble indiquer que les changements de structure à la fusion sont peu importants. Ces conclusions sont en accord avec celles déduites à partir des résultats de conductivité électrique.