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Colloque
La mesure des propriétés électriques de semiconducteurs à l'aide d'une onde acoustique de surface est relativement récente. Le principal avantage de cette technique réside dans le fait qu'elle est non destructive. L'onde acoustique, qui est générée par un transducteur déposé sur un matériau piézo-électrique (LiNbO3) est accompagnée d'un champ électrique oscillant. L'interaction de ce champ électrique avec les porteurs près de la surface du semiconducteur donne lieu à un voltage transverse acoustoelectrique (VTA) qui constitue une signature de la qualité de surface du semiconducteur tout en donnant le signe des porteurs majoritaires. Dans le but d'étudier la concentration des porteurs …
Colloque
La mesure des propriétés électriques de semiconducteurs à l'aide d'une onde acoustique de surface est relativement récente. Le principal avantage de cette technique réside dans le fait qu'elle est non destructive. L'onde acoustique, qui est générée par un transducteur déposé sur un matériau piézo-électrique (LiNbO3) est accompagnée d'un champ électrique oscillant. L'interaction de ce champ électrique avec les porteurs près de la surface du semiconducteur donne lieu à un voltage transverse acoustoelectrique (VTA) qui constitue une signature de la qualité de surface du semiconducteur tout en donnant le signe des porteurs majoritaires. Dans le but d'étudier la concentration des porteurs …
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La mesure des propriétés électriques de semiconducteurs à l'aide d'une onde acoustique de surface est relativement récente. Le principal avantage de cette technique réside dans le fait qu'elle est non destructive. L'onde acoustique, qui est générée par un transducteur déposé sur un matériau piézo-électrique (LiNbO3) est accompagnée d'un champ électrique oscillant. L'interaction de ce champ électrique avec les porteurs près de la surface du semiconducteur donne lieu à un voltage transverse acoustoelectrique (VTA) qui constitue une signature de la qualité de surface du semiconducteur tout en donnant le signe des porteurs majoritaires. Dans le but d'étudier la concentration des porteurs …
