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Colloque
On a mesuré les spectres photovoltaïques de super-réseaux de type InGaAs/GaAs à des températures variant de 4 à 300 K. Les super-réseaux consistent en dix périodes de puits (InGaAs) de 50 , et de barrières (GaAs) de 100 déposés sur substrat de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Pour les mesures photovoltaïques, on utilise un contact ohmique d'indium et une barrière de Schottky en semi-transparent. Les spectres révèlent plusieurs structures quantiques reliées au super-réseau, démontrant clairement la quantification des niveaux. Les résultats obtenus avec cette technique relativement simple sont en bon accord avec les mesures à (à paraître).
Colloque
On a mesuré les spectres photovoltaïques de super-réseaux de type InGaAs/GaAs à des températures variant de 4 à 300 K. Les super-réseaux consistent en dix périodes de puits (InGaAs) de 50 , et de barrières (GaAs) de 100 déposés sur substrat de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Pour les mesures photovoltaïques, on utilise un contact ohmique d'indium et une barrière de Schottky en semi-transparent. Les spectres révèlent plusieurs structures quantiques reliées au super-réseau, démontrant clairement la quantification des niveaux. Les résultats obtenus avec cette technique relativement simple sont en bon accord avec les mesures à (à paraître).
