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La déposition de films cristallins d'oxyde céramique a été réalisée par pulvérisation cathodique h.f. magnétron, sous atmosphère réactive Ar/O2, et sous contrôle de la température du substrat. Ces derniers ont été choisis en fonction de leur structure et de leur stabilité chimique par rapport aux matériaux de dépôts. Des substrats monocristallins Si (100), parfaitement polis et passivés, ont permis une étude de l'évolution structurale des dépôts en fonction de la température, de la pression partielle de l'oxygène et du rendement de pulvérisation. Malgré une très grande disparité des coefficients de dilatation thermique, le chauffage du substrat aux températures supérieures à …