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Colloque
L'observation de l'interface GaAs-Ge en microscopie électronique haute résolution a montré que la germination du film se faisait couche par couche, selon le mode Volmer-Weber. L'absence, dans le film, de fautes d'empilement qui surviendraient accidentellement sur les facettes {111} des germes, dans le cas du mode de germination 3D, confirme cette hypothèse. Toutes les dislocations de désaccord paramétrique sont dissociées. La 90° est en tête puisque le film de GaAs est en tension sur son substrat. Les parois d'antiphase résiduelles indiquent que le temps et la température du traitement thermique, qui sert à éliminer les parois d'antiphase par une reconstruction …
Colloque
L'observation de l'interface GaAs-Ge en microscopie électronique haute résolution a montré que la germination du film se faisait couche par couche, selon le mode Volmer-Weber. L'absence, dans le film, de fautes d'empilement qui surviendraient accidentellement sur les facettes {111} des germes, dans le cas du mode de germination 3D, confirme cette hypothèse. Toutes les dislocations de désaccord paramétrique sont dissociées. La 90° est en tête puisque le film de GaAs est en tension sur son substrat. Les parois d'antiphase résiduelles indiquent que le temps et la température du traitement thermique, qui sert à éliminer les parois d'antiphase par une reconstruction …
