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Colloque
Le "Heterojunction Bipolar Transistor" est un nouveau transistor fait d'arséniure de Gallium, un semi-conducteur très répandu pour ses propriétés électriques. Depuis quelques temps, la recherche a rapidement démontré les caractéristiques électriques de celui-ci, fort rendement énergétique (Gain élevé), fréquence de coupure plus élevée et une forte tension de claquage. Ainsi, avec les multiples qualités, le HBT s'avère convenable pour tous les types de communications mobiles spatiales, il nous permet d'amplifier un signal pour une gamme de fréquence de communication (GHz). Pour simuler un tel comportement, nous devons connaître une modélisation électrique équivalente. Ainsi, notre principal objectif sera de déterminer équivalent …
