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Actuellement la majorité des transistors présentent de bonnes performances aux fréquences micro-ondes. Néanmoins, des mesures fiables et précises des paramètres S constituent toujours un problème pour des fréquences supérieures à 60 GHz. Dans ce cas, il est alors nécessaire de concevoir puis de développer des schémas équivalents, permettant une meilleure prédiction des paramètres S dans la bande millimétrique et même au-delà. Quand les dimensions longitudinales d'un HBT sont du même ordre que la longueur d'onde du signal qu'il s'y propage, il est alors essentiel de prendre en compte les phénomènes de propagation non négligeables le long des électrodes. Ceci est …