Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
L'utilisation des nouveaux dispositifs actifs tels que le HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), le HEMT ("High Electron Mobility Transistor") et les composants opto-électroniques nécessite la modélisation des performances de ces dispositifs à des fréquences très élevées. Mais les difficultés de réaliser de tels dispositifs semiconducteurs sont les dimensions physiques très petites, les limitations des analyseurs de réseau qui ne permettent pas d'étendre cette croissance en fréquence au domaine millimétrique (> 50 GHz) et le coût de fabrication de ces dispositifs ont laissé croire qu'il faut avoir recours à la conception assistée par ordinateur (CAO). Le développement des circuits intégrés à l'aide …
Colloque
L'utilisation des nouveaux dispositifs actifs tels que le HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), le HEMT ("High Electron Mobility Transistor") et les composants opto-électroniques nécessite la modélisation des performances de ces dispositifs à des fréquences très élevées. Mais les difficultés de réaliser de tels dispositifs semiconducteurs sont les dimensions physiques très petites, les limitations des analyseurs de réseau qui ne permettent pas d'étendre cette croissance en fréquence au domaine millimétrique (> 50 GHz) et le coût de fabrication de ces dispositifs ont laissé croire qu'il faut avoir recours à la conception assistée par ordinateur (CAO). Le développement des circuits intégrés à l'aide …
Colloque
L'utilisation des nouveaux dispositifs actifs tels que le HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), le HEMT ("High Electron Mobility Transistor") et les composants opto-électroniques nécessite la modélisation des performances de ces dispositifs à des fréquences très élevées. Mais les difficultés de réaliser de tels dispositifs semiconducteurs sont les dimensions physiques très petites, les limitations des analyseurs de réseau qui ne permettent pas d'étendre cette croissance en fréquence au domaine millimétrique (> 50 GHz) et le coût de fabrication de ces dispositifs ont laissé croire qu'il faut avoir recours à la conception assistée par ordinateur (CAO). Le développement des circuits intégrés à l'aide …
