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Colloque
L'InP obtenu par épitaxie en phase vapeur par composés organo-métalliques, dont les propriétés sont voisines de celles de l'1^xGa, donne des mobilités proches des maximums théoriques aux basses températures. Par contre, les valeurs correspondantes restent anormalement basses à la température ambiante, où une forte excitation électronique à la bande de conduction est observée simultanément. Cette réduction de la mobilité est attribuée à la présence de centres profonds, électriquement inactifs à basse température mais s'excitant quand la température augmente. Quand ils s'ionisent, ces centres libèrent des électrons, d'où excitation à la bande de conduction, et deviennent alors des diffuseurs puissants, d'où …
Colloque
L'InP obtenu par épitaxie en phase vapeur par composés organo-métalliques, dont les propriétés sont voisines de celles de l'1^xGa, donne des mobilités proches des maximums théoriques aux basses températures. Par contre, les valeurs correspondantes restent anormalement basses à la température ambiante, où une forte excitation électronique à la bande de conduction est observée simultanément. Cette réduction de la mobilité est attribuée à la présence de centres profonds, électriquement inactifs à basse température mais s'excitant quand la température augmente. Quand ils s'ionisent, ces centres libèrent des électrons, d'où excitation à la bande de conduction, et deviennent alors des diffuseurs puissants, d'où …
