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Colloque
Le seuil d'énergie d'écriture avec un laser YAG doublé à 532 nm, d'impulsions de 15 ns, dans des couches minces de 50 nm de tellurium évaporées sur des substrats de verre peut être modifié par implantation d'ions d'hélium. Un abaissement du seuil d'écriture est observé avec une augmentation de la dose implantée à une valeur critique Dc. De la dose de 10^16 ions/cm^2 à ce maintenant été mesurée, au-dessus de laquelle le seuil d'écriture diminue. Des mesures des coefficients de réflexion et de transmission des couches minces révèlent un changement abrupt de la variation du paramètre 1 - (R + …
Colloque
A l'aide d'un accélérateur 150 kV muni de trois sources d'ions interchangeables, nous avons implanté des ions de carbone et de lithium dans un échantillon d'aluminium. La distribution en profondeur des ions implantés est déterminée par l'énergie et l'intensité du faisceau et la durée du bombardement. La concentration absolue des atomes implantés en fonction de la profondeur (jusqu'à ~ 1 μm) est par la suite déterminée par des mesures de type RDR (rétrodiffusion Rutherford) et DIRE (détection d'ions de recul élastique), effectuées à l'aide d'un accélérateur Van de Graaff de 3 MV capable de produire des faisceaux de Ne⁺⁺ à …
Colloque
La radiation spontanée émise à partir des niveaux d'énergie rapprochés donne lieu à une décroissance exponentielle de leur population. Si l'excitation de ces niveaux supérieurs se fait de façon "cohérente", cette décroissance est modulée à des fréquences qui correspondent aux différences d'énergie entre les niveaux rapprochés. Ces structures très fines peuvent être ainsi mesurées même si elles ne peuvent être séparées par les moyens spectroscopiques classiques. Dans le présent travail, un faisceau d'ions de bore (E = 5 MeV) en provenance d'un accélérateur Van de Graaff est ionisé et excité par son passage au travers d'une cible mince de carbone …
Colloque
Nous avons étudié l'aluminium par la technique "beam-foil". Les spectres et les vies moyennes ont été mesurés avec un spectromètre à incidence dont le rayon de courbure du réseau est de 2m. Nous disposions d'un faisceau de particules de l'ordre de 100 nA à 5 MeV. La plupart des raies observées sont attribuées à des transitions dans l'Al-VI-X, mais certaines de ces raies demeurent non-identifiées. Nous présentons les vies moyennes et les forces d'oscillateurs de quelques niveaux inférieurs et transitions correspondantes de l'Al IX. À 5 MeV, la fraction relative composée d'Al IX est de 4%. Les raies ont été …
Colloque
La dépendance de la force d'oscillateur "f" pour une transition atomique a une allure systématique en fonction de la charge du noyau dans une séquence isoélectronique. Cette propriété a été exploitée récemment afin d'obtenir des valeurs de "f" pour des transitions dans les espèces hautement ionisées. La mesure de "f" pour une espèce ionique permet de déterminer les forces d'oscillateur pour la transition de la séquence isoélectronique entière. L'origine de ces tendances systématiques offre un intérêt particulier pour les calculs théoriques. Nous avons mesuré plusieurs durées de vies des niveaux atomiques et de là, avons déduit les valeurs de "f" …
