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Nous avons synthétisé des monocristaux du système d'alliages Hf_xZr_{1-x}Se_3. Il s'agit de composés semiconducteurs de faible dimensionnalité où les paramètres de réseau ne varient pratiquement pas avec la concentration. Nos mesures de densité d'états à 40 K montrent, pour la variation du gap en fonction de la concentration, un comportement dérivé à fait standard (loi quadratique). Ceci diffère du système d'alliages équivalents Hf_xTi_{1-x}O_3 où deux régimes linéaires étaient observés. À partir de modèles théoriques récents, nous avançons l'hypothèse que ces différences de comportement sont reliées à l'existence d'un ordre à long portée similaire à celui des super-réseaux monocouches obtenus dans …
Nous avons synthétisé des monocristaux du système d'alliages Hf_xZr_{1-x}Se_3. Il s'agit de composés semiconducteurs de faible dimensionnalité où les paramètres de réseau ne varient pratiquement pas avec la concentration. Nos mesures de densité d'états à 40 K montrent, pour la variation du gap en fonction de la concentration, un comportement dérivé à fait standard (loi quadratique). Ceci diffère du système d'alliages équivalents Hf_xTi_{1-x}O_3 où deux régimes linéaires étaient observés. À partir de modèles théoriques récents, nous avançons l'hypothèse que ces différences de comportement sont reliées à l'existence d'un ordre à long portée similaire à celui des super-réseaux monocouches obtenus dans …
Des mesures de transmission infrarouge ont été effectuées sur des échantillons de Cd3As2 dans des champs magnétiques pouvant atteindre 7 Tesla. La radiation provenant d'un laser CO2 syntonisable était polarisée circulairement à droite ou à gauche par un polariseur et un déphaseur de Fresnel. Les oscillations de la transmission en fonction du champ magnétique ont été analysées dans le cadre du modèle de Bodnar. Nous avons tiré de ces dernières les données qu'avait utilisées Bodnar pour déterminer les paramètres de son modèle, nous obtenons plus récemment de ces mêmes données, lorsque cela est possible en changeant légèrement les paramètres du …
Le semiconducteur Cd3As2 a des propriétés assez particulières, ayant une structure de bande inversée et une très grande mobilité électronique. Cependant, la grande densité de porteurs (électrons) toujours présente masque l'effet du minimum de la bande de conduction dans les propriétés physiques, ce qui empêche l'apparition de phénomènes qui normalement seraient spectaculaires. Une façon d'étudier le bas de la bande de conduction est de créer des niveaux de Landau par l'application d'un champ magnétique intense. L'admission infrarouge a donc été mesurée dans des champs magnétiques allant jusqu'à 7 T. La lumière était polarisée circulairement, soit à droite soit à gauche, …
Le semiconducteur Cd3As2 a des propriétés assez particulières, ayant une structure de bande inversée et une très grande mobilité électronique. Cependant, la grande densité de porteurs (électrons) toujours présente masque l'effet du minimum de la bande de conduction dans les propriétés physiques, ce qui empêche l'apparition de phénomènes qui normalement seraient spectaculaires. Une façon d'étudier le bas de la bande de conduction est de créer des niveaux de Landau par l'application d'un champ magnétique intense. L'admission infrarouge a donc été mesurée dans des champs magnétiques allant jusqu'à 7 T. La lumière était polarisée circulairement, soit à droite soit à gauche, …
Le semiconducteur Cd3As2 a des propriétés assez particulières, ayant une structure de bande inversée et une très grande mobilité électronique. Cependant, la grande densité de porteurs (électrons) toujours présente masque l'effet du minimum de la bande de conduction dans les propriétés physiques, ce qui empêche l'apparition de phénomènes qui normalement seraient spectaculaires. Une façon d'étudier le bas de la bande de conduction est de créer des niveaux de Landau par l'application d'un champ magnétique intense. L'admission infrarouge a donc été mesurée dans des champs magnétiques allant jusqu'à 7 T. La lumière était polarisée circulairement, soit à droite soit à gauche, …