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Colloque
L'YBa2Cu3O7-x est un cristal qui devient supraconducteur à haute Tc (~90K). Une méthode CE est habituellement utilisée pour mesurer le pouvoir thermoelectrique de l'YBa2Cu3O7-x polycristallin et monocristallin. Cette mesure a montré une transition brutale à T=Tc, d'une valeur nulle (TTc). Pour obtenir une meilleure résolution, une méthode CA a été utilisée par quelques auteurs. However, et al, en utilisant la méthode CA, ont observé un pic à la transition et ils l'ont interprété par la possibilité d'un effet de fluctuation (en se basant sur un calcul théorique dû par Maki). Dans le présent travail, en utilisant la méthode CA, on …
Colloque
Dans nos travaux antérieurs, nous avions démontré que le courant critique de transport (Ic) en fonction du champ magnétique (Ha) d'une lame mince supraconductrice pouvait être limité par l'ancrage et l'état critique y étant associé. Pour le YBa2Cu3O7 polycristallin, nous devons aussi en mesure de déterminer le champ de pleine pénétration (Hp) d'un cylindre creux, une donnée intimement liée à l'ancrage intergrain. Utilisant les paramètres obtenus avec les cylindres pour Jc(Ha) = Jco (1+Ha/Hp)β et faisant l'hypothèse que le courant dans l'échantillon est partout déterminé par Jc(Ha)), nous effectuons le lissage de Ic(Ha) d'une lame mince et réalisons nous permettant …
Colloque
La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
Colloque
La détection de l'aimantation de supraconducteurs de type II s'avère un moyen intéressant dans la compréhension générale de leurs propriétés magnétiques et de transport. On en tire la densité de courant critique (Jc) par le modèle de Bean qui traite l'ancrage des lignes de flux. Il est généralement accepté que la densité de courant critique est fortement limitée par les jonctions intergrains. On doit mentionner que de l'hystérésis à bas champs (0 à 100 Gauss) est observée, signalant la présence de sites d'ancrage intergrains. Ceci nous amène à se demander si l'ancrage intergrain ne serait pas le facteur limitant Jc. …
Colloque
Les supraconducteurs à haute température critique offrent l'occasion d'étudier plusieurs phénomènes d'intérêt, soit fondamental, soit appliqué. Du côté appliqué, le problème d'actualité est celui du courant critique, i.e. le courant maximum qui peut circuler sans détruire la supraconductivité. On sait que ceci se produit lors du désancrage des vortex et leurs points de fixation. Nous avons donc mis en œuvre des mesures qui permettront mettre en évidence le désancrage et le mouvement des vortex, soit le point où se produisent l'effet Nernst en présence de champ magnétique. Comme nous avions déjà une expertise dans la croissance de YBCO, monocristaux de …
Colloque
La dépendance en champ magnétique de la densité de courant critique (Jc) du YBa2Cu3O7 polycristallin est très prononcée à faibles champs appliqués (dans l'intervalle de 0 à Hc1). Cela est attribué en particulier à la nature polycristalline du matériau qui présente plusieurs jonctions faibles exposées à des champs locaux très élevés à la jonction des grains. Dans ce travail, nous vérifions l'effet de différentes conditions de synthèse sur le comportement de Jc (H,T). On peut observer, tout comme en magnétisation, une irréversibilité de Jc lorsque le champ varie cycliquement de -Hmax à +Hmax (avec Hmax suffisamment grand). On peut même, …
Colloque
Une façon particulière d'étudier la supraconductivité à haute température critique dans YBa_2Cu_3O_{6} est de vérifier l'effet de la substitution du cuivre Cu par des atomes de mêmes dimensions (métaux de transition 3d : Ni,Fe,Zn). Une première observation suggère différents mécanismes de suppression de la supraconductivité selon le site de substitution (chaînes et/ou plans Cu-O). Un moyen de déterminer ces différents mécanismes est d'étudier leurs dérivés semiconducteurs (O_{6}) qui montrent des signes de conduction par saut à échelle variable: Variable-Range Hopping). Nous avons effectué des mesures des propriétés de transport (résistivité, pouvoir thermoélectrique et effet Hall). Nous obtenons ainsi certains paramètres …
Colloque
Nous avons synthétisé des monocristaux du système d'alliages Hf_xZr_{1-x}Se_3. Il s'agit de composés semiconducteurs de faible dimensionnalité où les paramètres de réseau ne varient pratiquement pas avec la concentration. Nos mesures de densité d'états à 40 K montrent, pour la variation du gap en fonction de la concentration, un comportement dérivé à fait standard (loi quadratique). Ceci diffère du système d'alliages équivalents Hf_xTi_{1-x}O_3 où deux régimes linéaires étaient observés. À partir de modèles théoriques récents, nous avançons l'hypothèse que ces différences de comportement sont reliées à l'existence d'un ordre à long portée similaire à celui des super-réseaux monocouches obtenus dans …
Colloque
Les alliages GaInAs déposés sur un substrat de InP présentent un intérêt technologique important pour les télécommunications par fibre optique. Nous présentons ici une étude de magnéto-optique au niveau de la bande interdite pour une couche de Ga.53In.47As épitaxie sur un substrat de InP. Des mesures de transmission, de photocourant et de photovoltage réalisées à 4.2 K dans un champ magnétique atteignant 14 teslas ont été effectuées. Les résultats obtenus donnent accès à la masse effective réduite des porteurs de la bande de conduction et de la bande de valence, à l'énergie de la bande interdite à champ nul ainsi …
Colloque
Le matériau GaInAs épitaxié sur InP possède un important potentiel d'application en optoélectronique et en microélectronique. Nous avons effectué des mesures de résonance cyclotron et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70,5μm≤λ≤531μm) et sous champ magnétique (B≤15T) sur des échantillons de haute qualité (μ=70000 cm²/Vs à 77K), produits par la méthode de croissance MOVCD. Plusieurs nouveaux pics de photoconductivité ont pu être mis en évidence, ce qui donne accès à des renseignements originaux concernant le niveau d'impuretés dans ce matériau. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la masse effective électronique. Les résultats sont analysés et …
