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Colloque
Pour la première fois des cellules solaires d'environ 1cm² de surface ont été réalisées à partir de couches de GaAs épitaxiales sur substrat de GaAs en utilisant le TRCD. La structure active des cellules fait appel à une homogénéité p/n obtenue par diffusion de Zinc dans une couche épitaxiale de type n. Les rendements des conversions obtenus sont supérieurs à 30 mWcm⁻² variant de 5 à 10% avec des valeurs pour le facteur de remplissage supérieures à 70%. Ces résultats préliminaires ont été mesurés sur des dispositifs sans fenêtre de GaAlSb (réduction de la vitesse de recombinaison en surface des …
Colloque
Pour la première fois des cellules solaires d'environ 1cm² de surface ont été réalisées à partir de couches de GaAs épitaxiales sur substrat de GaAs en utilisant le TRCD. La structure active des cellules fait appel à une homogénéité p/n obtenue par diffusion de Zinc dans une couche épitaxiale de type n. Les rendements des conversions obtenus sont supérieurs à 30 mWcm⁻² variant de 5 à 10% avec des valeurs pour le facteur de remplissage supérieures à 70%. Ces résultats préliminaires ont été mesurés sur des dispositifs sans fenêtre de GaAlSb (réduction de la vitesse de recombinaison en surface des …
Colloque
Pour la première fois des cellules solaires d'environ 1cm² de surface ont été réalisées à partir de couches de GaAs épitaxiales sur substrat de GaAs en utilisant le TRCD. La structure active des cellules fait appel à une homogénéité p/n obtenue par diffusion de Zinc dans une couche épitaxiale de type n. Les rendements des conversions obtenus sont supérieurs à 30 mWcm⁻² variant de 5 à 10% avec des valeurs pour le facteur de remplissage supérieures à 70%. Ces résultats préliminaires ont été mesurés sur des dispositifs sans fenêtre de GaAlSb (réduction de la vitesse de recombinaison en surface des …
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Pour la première fois des cellules solaires d'environ 1cm² de surface ont été réalisées à partir de couches de GaAs épitaxiales sur substrat de GaAs en utilisant le TRCD. La structure active des cellules fait appel à une homogénéité p/n obtenue par diffusion de Zinc dans une couche épitaxiale de type n. Les rendements des conversions obtenus sont supérieurs à 30 mWcm⁻² variant de 5 à 10% avec des valeurs pour le facteur de remplissage supérieures à 70%. Ces résultats préliminaires ont été mesurés sur des dispositifs sans fenêtre de GaAlSb (réduction de la vitesse de recombinaison en surface des …
Colloque
Des contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs ont été élaborés et utilisés pour des mesures de DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) sur des couches épitaxiales de GaAs de type n, obtenues par la technique du Transport Réactif à Courte Distance (TRCD). Les hauteurs de barrière déduites des caractéristiques I(V) et C(V) à température ambiante sont respectives à 0.86 V et les facteurs d'idéalité des diodes sont inférieurs à 1.1. Deux pièges à électrons EL2 et ELC1 ont été détectés. Leurs énergies d'activation apparentes et leurs sections efficaces de capture sont respectivement de 0.82 eV, 2.1x10^-13 cm² et 0.78 eV, 1.9x10^-13 …
